Masanori Tsukuda, Yoko Sakiyama, Hideaki Ninomiya and Masakazu Yamaguchi, , 2009
“Dynamic Punch-Through Design of High-Voltage Diode for Suppression of Waveform Oscillation and Switching Loss” Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs’09, pp.128-131,

Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Yoko Sakiyama, Masakazu Yamaguchi, Ken’ichi Matsushita and Tsuneo Ogura,2008
“Critical IGBT Design　Regarding EMI and Switching Losses” Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs’08, pp.185-188,

Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Wataru Saito and Tomokazu Domon,2006
“Demonstration of High Output Power Density (50 W/cc) Converter using 600 V SJ-MOSFET and SiC-SBD” Proceedings of 4th International Conference on Integrated Power Systems’06,

Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Tomokazu Domon, Wataru Saito and Tsuneo Ogura, 2005
“Demonstration of High Output Power Density (30 W/cc) Converter using 600 V SiC-SBD and Low Impedance Gate Driver” Proceedings of International Power Electronics Conference’05, S32-4, 2005.(Prize Paper Award)

Tomoko Matsudai, Masanori Tsukuda, Shinichi Umekawa, Masahiro Tanaka and Akio Nakagawa, 2004
“New Anode Design Concept of 600V Thin Wafer PT-IGBT with Very low Dose P-buffer and Transparent P-emitter” Journals of IEE Proc.-Circuits Devices Syst., Vol. 151, No. 3, June 2004, pp.255-258,

Tomoko Matsudai, Masanori Tsukuda, Shinichi Umekawa, Masahiro Tanaka and Akio Nakagawa , 2003
“New Anode Design Concept of 600V Thin Wafer PT-IGBT with Very low Dose P-buffer and Transparent P-emitter” Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs’03, pp.75-78,

Makoto Mizukami, Osamu Takikawa, M. Murooka, Seiji Imai, Kozo, Kinoshita, Tetsuo Hatakeyama, M. Tsukuda, W. Saito, I. Omura and Takashi Shinohe, 2003
“A 600V Deep-Implanted Gate Vertical JFET” Journals of Materials Science Forum (Volumes 457 - 460) Silicon Carbide and Related Materials 2003, pp.457-460,

Ken-ichi Matsushita, Takashi Shinohe, Masanori Tsukuda, Yoshihiro Minami, Jun-ichi Miwa, Satoshi Yanagisawa and Hiromichi Ohashi , 1998
“4.5 kV High-Speed and Rugged Planar Diode with Novel Carrier Distribution Control” Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs’98, pp.191-194,

◆その他の論文

附田正則，崎山陽子，二宮英明，山口正一
「波形振動を抑制する高耐圧ダイオードのダイナミック・パンチスルー設計」
『電子材料，電子デバイス，半導体電力変換合同研究会』，45‐48頁，２００９年１０月

附田正則，大村一郎，崎山陽子，山口正一，松下憲一，小倉常雄
「EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計」
『電子デバイス，半導体電力変換合同研究会』，35‐38頁，２００８年１０月

Ichiro Omura, Masanori Tsukuda, Wataru Saito and Tomokazu Domon
“High Power Density Converter using SiC-SBD”
Proceedings of Power Conversion Conference ? Nagoya,2007, pp.575-580,2007.

附田正則，大村一郎，土門知一，齋藤渉，小倉常雄
「1200V系Si-IGBTと1200V系SiC-SBDによる2レベル三相インバータの損失予測」
『平成１７年電気学会全国大会』，第４分冊　5‐6頁，２００５年３月

附田正則，大村一郎，土門知一，齋藤渉，小倉常雄
「600V-SiC-SBDを用いた超高パワー密度(30W/cc)チョッパ変換器の実証」
『平成１６年電気学会産業応用部門大会』，I-443‐I-446頁，２００４年９月

附田正則，大村一郎，土門知一，齋藤渉，小倉常雄
「600V-SiC-SBDを用いた300Wチョッパ変換器の体積予測」
『平成１６年電気学会全国大会』，第４分冊　112‐113，２００４年３月

附田正則，大村一郎，土門知一，齋藤渉，小倉常雄
「チョッパ回路における600V系SiC-SBDの低損失化評価」
『半導体電力変換研究会』，41‐44，２００４年１月

附田正則，大村一郎，土門知一，齋藤渉，小倉常雄
「高耐圧パワーMOSFETの数MHｚスイッチング動作検討」
『平成１５年電気学会産業応用部門大会』，I-207‐I-210頁，２００３年８月